Mall MB85RC256V หน่วยความจำ 32KB I2C Non Volatile FRAM Breakout Board Professional

1. FRAM ไม่ลบเลือนและสามารถอ่าน/เขียนได้ง่ายถึง 10 ล้านล้านครั้ง
2. คล้ายกับ Dynamic Random-access Memory (DRAM) เพียงแต่มีชั้นเฟอร์โรอิเล็กทริกแทนที่จะเป็นชั้นอิเล็กทริก
3. เหมาะอย่างยิ่งสำหรับใช้กับเครื่องบันทึกข้อมูลพลังงานต่ำและสำหรับการบัฟเฟอร์ข้อมูลในกรณีที่ไม่มีแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่เสถียร
4. ชิป FRAM ที่ใช้มีหน่วยความจำ 8 KB และใช้สัญญาณนาฬิกาสูงสุด 20 MHz
5. แต่ละไบต์สามารถอ่านและเขียนได้ทันที แต่จะเก็บหน่วยความจำไว้ได้นาน 95 ปีที่อุณหภูมิห้อง

ข้อมูลจำเพาะ:
คุณสมบัติ: 
FRAM นั้นไม่ลบเลือนและสามารถอ่าน/เขียนได้ง่ายถึง 10 ล้านล้านครั้ง
คล้ายกับหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก (DRAM) โดยมีชั้นเฟอร์โรอิเล็กทริกเท่านั้นแทนที่จะเป็นชั้นอิเล็กทริก
เหมาะอย่างยิ่งสำหรับใช้กับเครื่องบันทึกข้อมูลพลังงานต่ำและสำหรับการบัฟเฟอร์ข้อมูลในกรณีที่ไม่มีแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าที่เสถียร
ชิป FRAM ที่ใช้มีหน่วยความจำ 8 KB และใช้สัญญาณนาฬิกาสูงสุด 20 MHz
แต่ละไบต์สามารถอ่านและเขียนได้ทันที แต่จะเก็บหน่วยความจำไว้ได้นาน 95 ปีที่อุณหภูมิห้อง
ข้อมูลจำเพาะ:
สภาพ: ใหม่เอี่ยม 100%
สารเสริม: 1010+A2+A1+A0
ค่าเริ่มต้น: 0 x 50
VCC/ลอจิก: 2.7-5.5V
รายการแพ็คเกจ:
1 x คณะกรรมการฝ่าวงล้อม FRAM